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DKDP普克爾斯盒
晶眾光電DKDP普克爾斯盒產(chǎn)品說(shuō)明晶眾光電DKDP普克爾斯盒是一款高性能的電光調(diào)制器件,···...
》高消光比
》低插入損耗
》高傷害閾值
》工作溫度范圍寬低電容
》低漏電流
》工業(yè)激光系統(tǒng)
》醫(yī)美激光系統(tǒng)
》軍用激光系統(tǒng)
晶眾光電DKDP普克爾斯盒產(chǎn)品說(shuō)明
晶眾光電DKDP普克爾斯盒是一款高性能的電光調(diào)制器件,專為大口徑、高功率、窄脈寬激光系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品采用高質(zhì)量的磷酸二氘鉀(DKDP)晶體,結(jié)合先進(jìn)的制造工藝,確保了優(yōu)異的光學(xué)品質(zhì)與穩(wěn)定的性能。DKDP普克爾斯盒通過(guò)施加可變電壓來(lái)調(diào)制光束的相位延遲(普克爾斯效應(yīng)),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)激光脈沖的精確控制。
1. 優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量:DKDP晶體作為單軸晶體,具有高達(dá)98%的透過(guò)率,波前畸變極低,確保了光束的高質(zhì)量傳輸。
2.高消光比:利用632nm He-Ne激光測(cè)量,DKDP普克爾斯盒的消光比超過(guò)2000:1,遠(yuǎn)高于同類產(chǎn)品,有效提升了激光系統(tǒng)的性能。
3.低電容設(shè)計(jì):電容值小于8pF,使得上升時(shí)間極短(<0.5ns),適合在調(diào)Q激光器中輸出窄脈寬的脈沖激光。
4.高損傷閾值:在脈寬10ns、波長(zhǎng)為1064nm、重復(fù)頻率10Hz的條件下,損傷閾值超過(guò)1GW/cm2,保證了在高功率激光系統(tǒng)中的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
5.無(wú)靜態(tài)雙折射與光折變損傷:DKDP晶體的這一特性進(jìn)一步提升了激光系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
6.通光孔徑:提供10~12mm的通光孔徑,有效通光口徑≥90%,滿足大口徑激光系統(tǒng)的需求。
7.電極類型與電壓:采用引線型電極,λ/4電壓為3400V,適用于多種電壓控制場(chǎng)景。
DKDP普克爾斯盒廣泛應(yīng)用于科研、工業(yè)及軍事領(lǐng)域的激光系統(tǒng)中,特別是在需要高功率、窄脈寬激光脈沖的場(chǎng)合,如激光聚變、材料加工、光學(xué)通信等。
普克爾斯盒基于克爾電光效應(yīng),即晶體在電場(chǎng)作用下發(fā)生分子取向變化,產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象,從而改變光束的相位延遲。通過(guò)施加可變電壓,可以精確控制光束的偏振態(tài)和相位,實(shí)現(xiàn)激光脈沖的調(diào)制。
1.安裝:請(qǐng)確保普克爾斯盒與驅(qū)動(dòng)器正確連接,電纜長(zhǎng)度應(yīng)盡量短,以減少信號(hào)衰減和干擾。
2.操作:普克爾斯盒支持常規(guī)控制模式和模擬電壓控制模式,用戶可根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的控制模式。
3.維護(hù):定期檢查普克爾斯盒及驅(qū)動(dòng)器的工作狀態(tài),避免在超過(guò)其額定參數(shù)的條件下使用,以延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。
晶眾光電DKDP普克爾斯盒以其優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量、高消光比、低電容、高損傷閾值等特性,成為大口徑、高功率、窄脈寬激光系統(tǒng)的理想選擇。我們致力于為客戶提供高品質(zhì)的電光調(diào)制解決方案,助力科研與工業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展。